12月17日,半导体制造商罗姆(ROHM)开发出表面贴装SiC肖特基势垒二极管(SBD),可通过增加端子之间的爬电距离来提高绝缘电阻。初始产品系列包括用于车载充电器(OBC)等汽车应用的八种型号- SCS2xxxNHR,并计划于2024年12月为FA设备和PV逆变器等工业设备部署八种型号-SCS2xxxN。
图片来源:罗姆
快速扩张的xEV市场推动了对功率半导体的需求,其中包括SiC SBD,它们在车载充电器等应用中提供低发热量、高速开关和高压功能。此外,制造商们越来越依赖与自动装配设备兼容的紧凑型表面贴装器件(SMD)来提高制造效率。紧凑型SMD通常具有较小的爬电距离,这使得高压跟踪预防成为一项关键的设计挑战。
作为领先的SiC供应商,罗姆一直致力于开发高性能SiC SBD,提供适用于高压应用的击穿电压,且易于安装。采用优化的封装,新SiC SBD系列实现了5.1mm的最小爬电距离,与标准产品相比,提高了绝缘性能。
此外,新产品还采用原创设计,移除了之前位于封装底部的中心引脚,将爬电距离延长至最小5.1mm,约为标准产品的1.3倍。这最大限度地降低了端子之间产生漏电(爬电放电)的可能性,在高压应用中将器件表面贴装到电路板上时,无需通过树脂灌封进行绝缘处理。此外,这些器件可以安装在与标准和传统TO-263封装产品相同的焊盘图案上,从而可以轻松在现有电路板上进行替换。
提供两种额定电压,分别为650V和1200V,支持xEV中常用的400V系统以及未来有望得到广泛采用的更高电压系统。车规级SCS2xxxNHR符合AEC-Q101标准,确保满足该应用领域要求的高可靠性标准。